半导体所非共线反铁磁自旋调控研究获进展

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传统的自旋信息器件主要基于对铁磁材料中磁矩的精确操控与探测，但由于杂散场、较小的磁各向异性场等本征缺陷，使得铁磁自旋信息器件面临挑战。具有零净磁矩的反铁磁材料拥有超快的自旋动力学特征、极小的杂散场和较强的抗外场干扰能力，在超高密度信息存储和超高速度信息处理方面颇具应用潜力，被认为是下一代自旋信息器件重要的候选载体材料。拓扑反铁磁材料（如典型代表Mn₃Sn）集合了常规反铁磁体中零杂散场和超快自旋动力学特征以及拓扑材料中非平庸拓扑能带诱导的大磁输运特性等优势，为反铁磁自旋信息器件的实际应用提供了可行的解决方案。其中，如何利用全电学方法有效操控、探测反铁磁的磁化状态以及设计并制备基于反铁磁材料的新型拓扑自旋结构，是其在信息存储或自旋逻辑器件应用中亟待解决的关键问题。

近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室王开友课题组与南方科技大学教授卢海舟合作，在无重金属电流注入的条件下，利用Mn₃Sn自身非平衡局域自旋积累实现了非共线反铁磁外尔半金属的无外场磁化翻转，并进一步实现了全电控反铁磁多态翻转（图1）。研究通过与铁磁/重金属异质结、共线反铁磁/重金属异质结的无外场翻转中读写效率比较发现，Mn₃Sn具有更高的读写效率（反常霍尔电阻率/临界翻转电流密度），这证明Mn₃Sn是一种高效且稳定性高的反铁磁材料（图2）。与Mn₃Sn异质结薄膜相比较，理论和实验表明纯Mn₃Sn具有最大的对称性破缺，验证了Mn₃Sn全电控磁化翻转的物理来源。该工作解决了具有大读出信号的反铁磁材料难以利用全电学方法调控的难题，为设计和研制全电控反铁磁新功能器件和芯片的发展提供了可行方案。相关成果以All-electrical switching of a topological non-collinear antiferromagnet at room temperature为题，发表在《国家科学评论》（National Science Review，DOI：10.1093/nsr/nwac154）上。

为进一步探索基于非共线反铁磁Mn₃Sn薄膜的新型拓扑自旋织构，王开友课题组与半导体所超晶格室常凯院士课题组、中国科学院合肥强磁场科学中心教授陆轻铀课题组合作，在Mn₃Sn/Pt异质结构中，通过调节界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用的大小，首次在室温下实现了Mn₃Sn自旋织构从共面倒三角型到Bloch型斯格明子（skyrmions）的演化。此外，在Mn₃Sn/Pt系统中，该团队发现了温度诱导的斯格明子-反铁磁类半子（meron-like）自旋织构的非常规转变（转变温度大约220 K）（图3）。理论计算表明，这种拓扑自旋织构的转变与Mn₃Sn晶胞内笼目（kagome）亚结构之间反铁磁交换相互作用的温度依赖性有关。该工作不仅证明了非共线反铁磁异质结系统中丰富多样的拓扑自旋织构，而且为利用应变或插层等手段调节层间相互作用来构筑新型拓扑自旋织构提供了可行方案。相关成果以Topological spin textures in a non-collinear antiferromagnet system为题，发表在《先进材料》（Advanced Materials，DOI：10.1002/adma.202211634）上。

研究工作得到国家重点研发计划、中国科学院战略性先导科技专项、国家自然科学基金和北京市自然科学基金重点研究专题项目等的支持。

图1.Mn₃Sn展现出巨大的反常霍尔效应，基于非平衡自旋流积累实现了纯Mn₃Sn磁化翻转，在此基础上演示了二态翻转和多态翻转。

图2.非共线反铁磁Mn₃Sn无外场翻转读写效率与其他有序磁性材料/重金属异质结无外场翻转的比较。结果表明纯Mn₃Sn全电控磁化翻转的效率更高。

图3.设计制备的非共线反铁磁/重金属（Mn₃Sn/Pt）异质结中，利用界面DMI效应诱导出室温斯格明子以及220 K附近发现的斯格明子-反铁磁类半子的转变。　

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(责任编辑：黄俊飞)

半导体所非共线反铁磁自旋调控研究获进展

时间：2023-05-11 10:46:25来源 : 半导体研究所

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